兆易创新（603986.SH）存储超级周期共振，全品类Fabless龙头业绩史诗级爆发（2026年H1）
报告日期：2026-08-28 ｜ 分析师：LoopSeek AI ｜ 短线预测：中性偏谨慎 ｜ 理想买入价：¥844.83
一、核心摘要
兆易创新是全球领先的Fabless芯片设计企业，也是国内唯一同时布局NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM三大存储产品线，并协同发展MCU（微控制器）、传感器和模拟芯片的”感存算控连”平台型公司。公司NOR Flash出货量稳居全球第二、中国大陆第一，MCU（GD32系列）累计出货超25亿颗稳居本土龙头，并通过与长鑫科技（长鑫存储）的”虚拟IDM”深度绑定模式，成为国产利基DRAM崛起的核心受益者。
2026年上半年，在AI算力爆发驱动的存储超级周期下，公司业绩实现史诗级爆发：实现营业收入115.66亿元，同比增长178.67%；归母净利润68.57亿元，同比暴增1091.50%；扣非净利润48.83亿元，同比增长796.90%；综合毛利率从去年同期的37.21%跃升至63.13%，提升约26个百分点。截至2026年6月末，公司总资产424.05亿元，净资产372.83亿元，资产负债率仅11.47%，货币资金及交易性金融资产达174.37亿元，财务结构极其稳健。
当前股价396.82元（2026-08-28收盘附近），对应总市值约2886亿元，PE（TTM）36.39倍，PB 7.74倍。公司深度受益于海外存储大厂淡出利基市场、AI终端与汽车电子需求扩容、国产替代加速三大趋势，但需注意存储行业强周期属性及2027-2028年全球新产能集中释放的潜在拐点。经三因子模型测算，公司最终理想买入价为844.83元，较当前股价存在显著上行空间。
重要标签：北京 ｜ 半导体 ｜ 民营/无实际控制人 ｜ 存储芯片、NOR Flash全球第二、MCU国产龙头、利基DRAM、AI算力、汽车电子、长鑫概念、A+H股
关键数据卡片
数据时点：最新财报 2026H1（2026-06-30） ｜ 股价日期 2026-08-28
| 指标 | 数值 | 指标 | 数值 |
|---|---|---|---|
| 股价 | ¥396.82 | 涨跌幅 | -3.50% |
| 总市值（亿） | 2885.58 | 市净率 | 7.74 |
| 市盈率（TTM） | 36.39 | 换手率（%） | 6.09 |
| 量比 | 1.11 | 成交额（亿） | 142.09 |
| 流动股占比（%） | 95.26 | 质押率 | 0.07% |
| 融资余额（亿） | 184.70 | 融券余额（亿） | 0.60 |
| 股东人数季度变化（%） | +47.81 | 5日资金净流入（亿） | -2.14 |
| 资产总额（亿） | 424.05 | 净资产（亿元） | 372.83 |
| 有息负债率（%） | 0.11 | 财务费用比（%） | 1.94 |
| 总收入（亿元） | 115.66（H1） | 营业收入同比（%） | 178.67 |
| 扣非净利润（亿元） | 48.83 | 扣非净利润同比（%） | 796.90 |
| 经营活动净现金流（亿元） | 60.48 | 经营活动净现金流收入比（%） | 52.30 |
| 毛利率（%） | 63.13 | 扣非净利率（%） | 42.22 |
基本面总体评价
兆易创新的基本面正处于历史最强周期阶段，是A股半导体板块中少有的”周期红利+成长逻辑+国产替代”三重共振标的。
财务层面：2026年上半年公司盈利能力发生质变，综合毛利率63.13%（同比+25.92pct），净利率59.29%，扣非净利率42.22%，ROE（半年）达24.36%，全年化ROE有望超过35%，在3000亿市值级科技公司中极为罕见。资产负债率仅11.47%，有息负债率0.11%，短期借款已全部清零，货币资金及交易性金融资产174.37亿元，是有息负债的数百倍，无偿债压力。经营活动现金流净额60.48亿元，同比增长超5倍，经营现金流收入比52.30%，盈利含金量高。需要甄别的是，归母净利润与扣非净利润差额约19.74亿元，主要来自持有长鑫科技等股权的公允价值变动收益（约22.28亿元），该部分为非经常性浮盈，不可持续，但扣非主业利润本身同样爆发式增长（+796.90%），质地扎实。
成长层面：2026H1营收同比+178.67%，其中存储芯片收入同比+245.44%（利基DRAM、SLC NAND高速增长，NOR量价齐升），MCU收入同比+49.07%。增长由”量”（海外大厂退出利基市场腾出份额、长鑫DRAM代工产能优先保障）和”价”（DRAM季度环比最高涨63%、NAND最高涨75%、7月NOR合约价上涨12%-20%）共同驱动。合同负债从年初2.18亿增至4.52亿、翻倍以上，反映订单饱满、供不应求。
赛道层面：AI算力基建向服务器、边缘设备、AI手机/PC、智能汽车传导，利基存储需求爆发；三星、美光、SK海力士将产能全力转向HBM/DDR5，主动压缩DDR4、2D NAND、NOR等成熟制程产能，供给端出现结构性缺口，这一格局在2026-2027年仍将延续。公司作为全球唯一在NOR Flash、SLC NAND、利基DRAM、MCU四大赛道均跻身全球前十的芯片设计企业，平台化优势突出。
治理层面：公司无实际控制人，股权分散、机构持股比例高；创始人朱一明任董事长并同时担任长鑫科技董事长，构建了”兆易设计+长鑫制造”的虚拟IDM独特生态；2026年7月朱一明公告拟增持不低于10亿元公司A股，彰显长期信心。风险点在于存储行业强周期属性，2028年前后全球新增产能集中释放可能带来周期反转。
近期股价走势
日线：近期股价在存储板块情绪带动下冲高至410元上方后回落，8月28日收于396.82元，单日下跌3.50%，成交额142.09亿元、换手率6.09%，量能维持高位但出现放量调整迹象。5日线拐头向下，股价跌破短期均线支撑，近5日主力资金净流出2.14亿元，短线获利盘兑现压力较大。短期支撑位约370元，压力位约415元。
周线：周线级别自2026年4月低点以来累计涨幅巨大，沿上升通道运行，MACD仍处零轴上方高位但红柱开始缩短，KDJ在超买区钝化后有死叉迹象，中期上升趋势未破但波动加剧。周线级别支撑参考350元（20周均线附近），压力位为前高430-440元区间。
月线：月线级别处于超级上升浪中，股价较2023年周期底部已上涨数倍，月MACD红柱放大、长期多头排列，长鑫科技7月科创板上市带来股权价值重估。但月线级别乖离率偏大，累计获利盘丰厚，需警惕高位剧烈震荡。
情绪面分析
市场情绪整体偏热但短线分化。融资余额高达184.70亿元，处于历史极高水平，显示杠杆资金深度参与，但近5日融资余额减少5.12亿元，融资盘开始边际撤退；融券余额仅0.60亿元，做空力量微弱。股东户数从2026Q1的24.37万户激增至Q2的36.03万户，环比暴增47.81%，筹码显著分散、散户大量涌入，历史上往往对应阶段性情绪高点区域。量化情绪面评分0.0（关注方向neutral，5日涨跌-2.99%），技术面绝对分-11.51，提示短线追高风险。中长线看，长鑫科技IPO、董事长增持、AI存储主线仍是重要情绪催化剂。
综合评价
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 股票短线预测 | 中性偏谨慎 |
| 核心理由 | 1. 存储超级周期下H1业绩爆发，营收+178.67%、扣非净利+796.90%，基本面拐点确认2. 技术面量化评分-11.51分，股东户数单季暴增47.81%、5日主力净流出2.14亿，短线筹码松动3. 长期看利基存储供给缺口+国产替代+长鑫协同，理想买入价844.83元显著高于现价 |
| 核心风险 | 1. 存储行业强周期属性，2027-2028年新产能释放或致涨价周期反转2. 约19.74亿利润来自长鑫股权公允价值浮盈，不可持续 |
近期重要事件
- 2026年8月18日发布半年报：上半年营收115.66亿元（+178.67%），归母净利润68.57亿元（+1091.50%），扣非净利润48.83亿元（+796.90%），毛利率63.13%，创历史同期最佳。
- 2026年7月27日长鑫科技登陆科创板：募资295亿元刷新年度A股融资规模。兆易创新持有长鑫科技约1.8%股权，为其前十大股东中唯一A股上市公司，带动公司股权投资浮盈约22.28亿元；2026年公司预计向长鑫采购DRAM代工产品57.11亿元，同比增长超4.8倍。
- 2026年7月29日公告董事长增持计划：朱一明拟于2026年12月13日至2027年7月29日期间增持公司A股不低于10亿元（其目前持股3464.74万股、占总股本4.94%）。
- 2026年完成H股上市：公司形成”A+H”双资本平台架构（03986.HK），2025年6月在新加坡设立全球总部，推进国际化。
- 股份回购：近期公司耗资约1.98亿元回购A股股份；知名投资人葛卫东二季度增持公司股份。
- 产品与市场进展：车规级Flash累计出货突破4.5亿颗，车规级MCU出货超1000万颗；自研LPDDR4X产品稳步推进，定制化存储（青耘科技）在AI手机、AI PC、机器人领域部分项目下半年有望量产。
二、公司画像
发展历程
兆易创新前身为北京芯技佳易微电子科技有限公司，由朱一明与北京清华科技园孵化器有限公司于2005年4月6日共同出资成立，初始注册资本200万元，2009年更名北京兆易创新科技有限公司并变更为中外合资企业。公司发展可分为三个阶段：
- 第一阶段（2005-2012年）：NOR Flash起家，打破海外垄断。公司成立后聚焦当时市场关注度极低的SPI NOR Flash细分赛道，成功研发中国第一颗移动高速存储芯片，实现双管静态存储器IP技术的国际独家授权，逐步在中低密度NOR市场站稳脚跟，2009年完成股份制改造前的多轮融资，引入香港赢富得、泰若慧等外资股东。
- 第二阶段（2013-2019年）：上市与多元化扩张。2013年与清华大学微电子所成立”先进非挥发存储器联合研究中心”；2016年8月18日在上交所主板上市（发行价23.26元，募资5.82亿元）；2013年推出GD32系列MCU（国产Arm Cortex-M内核MCU先行者），2019年收购上海思立微切入传感器领域，并陆续布局利基DRAM、模拟芯片，形成”存储+控制+感知”多元版图。2018年创始人朱一明出任长鑫存储CEO/董事长，开启”兆易设计+长鑫制造”的虚拟IDM模式。
- 第三阶段（2020年至今）：平台化与AI存储周期爆发。2022年38nm SPI NAND通过车规AEC-Q100认证，2023年车规Flash全球累计出货破1亿颗（现已突破4.5亿颗），同年推出中国首款Cortex-M7内核超高性能MCU（GD32H7系列）；2024年推出车规MCU GD32A7系列、收购苏州赛芯38.07%股权强化模拟/电池管理布局；2025年6月设立新加坡全球总部，7月递交H股上市申请并于2026年完成港交所挂牌；2026年受益AI驱动的存储超级周期，业绩史诗级爆发，NOR Flash份额升至全球第二（19.4%）。
股权结构
- 实控人：公司无实际控制人，股权结构分散。创始人、董事长朱一明直接持股3464.74万股，占总股本比例约4.94%（截至2026年7月公告），并通过长鑫科技等主体深度绑定存储产业链。
- 流通股占比：95.26%（总股本7.02亿股，流通股6.68亿股；H股发行后总股本约7.27亿股）。
- 前十大股东持股比例：约45%-50%，机构投资者持股比例高，包含公募基金、社保/QFII及北向资金；知名投资人葛卫东2026年二季度增持。
- 质押率：仅0.07%（截至2026-04-30），无限售股质押，股权风险极低。
管理层
董事长：朱一明，1972年7月生，江苏盐城人，清华大学物理系本科、硕士，美国纽约州立大学石溪分校电子工程系硕士；曾任职美国ipolicy Networks资深工程师、Monolithic System Technologies项目主管，2005年回国创办兆易创新并任董事长至今（2005-2018年兼任总经理），2018年起兼任长鑫存储/长鑫科技董事长，是中国存储器产业开拓者，曾获”中国IC设计业年度企业家”等荣誉。直接持股约4.94%，2026年7月公告拟增持不低于10亿元，与股东利益高度一致。
总经理（CEO）：程泰毅，1972年9月生，美国国籍，清华大学电子工程学士、美国华盛顿大学电子工程硕士；1998年联合创办Centrality Communication，2002-2010年任博通（Broadcom）无线通信事业部资深主任工程师，2011年创立上海思立微电子（人机交互传感，2019年被兆易收购），2020年3月起任公司副总裁，后升任总经理/CEO，负责公司日常经营。
管理层核心研发成员主要来自清华、北大、复旦、中科院等顶尖微电子院所，截至2024年底硕士及以上学历人员占比约56.5%，团队稳定、工程师红利显著。
核心业务
- 主要产品/服务：①存储芯片——NOR Flash（全球第二、大陆第一，容量覆盖512Kb至2Gb）、SLC NAND Flash（全球第六，容量1Gb-8Gb）、利基型DRAM（DDR4全面量产、自研LPDDR4X推进中）；②微控制器MCU——GD32系列Arm Cortex-M3/M4/M7/M33内核，累计出货超25亿颗，本土MCU龙头；③传感器——指纹识别、触控、电容传感等；④模拟芯片——电源管理、电池管理（收购苏州赛芯强化）等；⑤定制化存储（青耘科技）——面向AI手机、AI PC、汽车座舱、机器人等场景。
- 应用领域/客群：工业控制（MCU第一大收入来源）、汽车电子（智能座舱、自动驾驶、车身网联）、消费电子（AI手机、PC、可穿戴、智能家居、AI眼镜）、通信设备（光模块、服务器）、物联网等；客户覆盖全球主流模组厂、整机厂及车企/Tier1。
核心产品细分
| 核心产品 | 市场份额 | 行业排名 | 毛利率 | 核心竞争力 |
|---|---|---|---|---|
| NOR Flash | 约19.4%（2025年） | 全球第二、中国大陆第一 | 约45%-55%（2026H1存储板块高增） | 中低密度高性能产品业界最强，车规Flash出货4.5亿颗，45nm节点率先大规模量产，目标2-3年冲击全球第一 |
| 利基型DRAM | 中国大陆领先（全球约第七） | 全球第七、大陆第二（2024） | 2026H1同比显著提升 | 与长鑫科技虚拟IDM绑定，DRAM全部由长鑫代工，优先保障产能，DDR4全面量产、LPDDR4X自研推进 |
| SLC NAND Flash | 约7.1%（2025年，Web-Feet） | 全球第六 | 2026H1同比显著提升 | 料号齐全（串口/并口，1Gb-8Gb），2D NAND供给缺口中快速放量，推出4Gb/8Gb大容量新品 |
| MCU（GD32） | 本土厂商领先 | 中国本土MCU第一梯队龙头 | 35.82%（2025年） | 累计出货超25亿颗，Cortex-M7超高性能国内首款，工业为第一大收入来源，车规MCU出货超1000万颗 |
| 传感器/模拟芯片 | 细分市场国内前列 | 国内主流供应商 | 19.57%/36.96%（2025年） | 思立微触控/指纹积累，赛芯电池管理补强，2026H1模拟收入大幅增长、传感器短期承压 |
在研管线
| 项目名称 | 研发阶段 | 预计上市时间 | 潜在市场空间 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 自研LPDDR4X利基DRAM | 稳步推进/客户验证 | 2026年量产 | 利基DRAM全球市场百亿元级，海外大厂退出留出真空 | 降低对外购授权依赖，配套长鑫工艺，打开手机/AIoT市场 |
| 定制化存储（青耘科技） | 部分项目客户送样、小批量试产 | 2026年下半年陆续量产 | AI手机/AI PC/汽车座舱/机器人专用存储，随端侧AI放量 | 深度定制方案，单芯片价值量高于标准品 |
| 大容量MLC NAND Flash | 研发推进 | 2026-2027年 | 工控、通信、汽车大容量存储需求 | 完善NAND产品矩阵，提升单颗价值量 |
| 车规级MCU/高性能MCU迭代 | GD32A7车规系列已推出，持续迭代 | 持续放量 | 汽车电子MCU国产替代空间数百亿元 | 已在多家主流车企车身、座舱、网联、智驾应用验证 |
| 具身智能/机器人专用MCU | 新品推出、世界机器人大会展示 | 2026-2027年放量 | 机器人赛道高速增长 | 推出专为机器人设计的MCU及全栈芯片解决方案 |
战略规划
公司采用Fabless轻资产模式，固定资产仅14.74亿元、在建工程0.19亿元（2026H1），不建晶圆厂，通过与全球晶圆厂、封测厂战略合作及长鑫科技深度协同保障产能。战略方向：①存储方面，紧抓海外大厂退出利基市场窗口，积极谋划产能扩张与长鑫代工采购（2026年预计采购57.11亿元，+4.8倍），目标NOR Flash 2-3年内成为全球第一；②MCU方面，深耕工业（已为第一大收入来源）、汽车市场，并切入光模块、AI服务器、机器人等新场景；③新业务方面，定制化存储、模拟芯片（电源/电池管理）、传感器平台化发展；④全球化方面，新加坡全球总部+A+H双资本平台，提升国际供应链协同与品牌影响力。
业务结构
| 板块 | 收入（2025年，亿元） | 占比 | 毛利率 |
|---|---|---|---|
| 存储芯片 | 65.66 | 71.34% | 42.84% |
| 微控制器（MCU） | 19.10 | 20.75% | 35.82% |
| 传感器 | 3.89 | 4.23% | 19.57% |
| 模拟产品 | 3.33 | 3.62% | 36.96% |
| 技术服务及其他 | 0.04 | 约0.04% | 87.68% |
（注：2026年上半年存储芯片占比随收入+245.44%进一步大幅提升，预计存储板块收入占比已升至约85%以上，MCU占比约8%-10%。）
商业模式与市场地位
公司采用Fabless（无晶圆厂）商业模式：专注芯片设计、产品定义与品牌销售，晶圆制造、封装测试外包给长鑫科技（DRAM）及全球主流代工厂，资产轻、周转快、财务弹性高。盈利核心是”产品组合×周期位置×平台复用”：以NOR Flash基本盘提供稳定现金流，以利基DRAM/SLC NAND承接周期红利获取高弹性利润，以MCU/模拟/传感器平滑周期波动并复用客户与渠道。
市场地位方面，公司是全球唯一一家在NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM、MCU四大细分赛道均跻身全球前十的芯片设计企业：NOR Flash全球第二（仅次于华邦电）、大陆第一；SLC NAND全球第六；利基DRAM大陆第二；MCU为本土龙头（GD32累计出货超25亿颗）。”兆易+长鑫”虚拟IDM模式是国内半导体独有的设计-制造协同生态，构成公司区别于普通Fabless厂商的核心战略资产。
三、赛道分析
3.1 行业分析
公司所处半导体行业中的存储器细分赛道，是典型的强周期成长行业。根据弗若斯特沙利文数据，2024年全球NOR Flash市场规模约28亿美元，同比增长约27%，预计2029年增长至42亿美元，年复合增速约8.4%；而利基DRAM、SLC NAND市场规模均在数十亿美元量级，随AI终端渗透增速更快。
本轮存储周期的核心驱动是AI算力革命重塑供需结构：需求端，AI服务器、AI手机、AI PC、智能汽车、可穿戴/AI眼镜等终端对存储容量和数量的需求大幅提升，2026年上半年DRAM合约价季度环比最高上涨63%、NAND最高上涨75%，7月NOR Flash合约价上涨12%-20%（AI服务器/光模块大容量NOR涨16%-20%）；供给端，三星、SK海力士、美光三大原厂将先进产能全力转向HBM、DDR5/LPDDR5等高附加值产品，主动淡出DDR3/DDR4利基DRAM、削减2D NAND产能、收缩NOR投入，利基市场出现明显”供给真空”。存储行业具有3-4年一轮的朱格拉周期特征，当前处于2025年启动的上行周期中段，2026-2027年供需缺口仍将延续，但2028年前后全球新增产能集中释放可能成为周期拐点。
3.2 市场分析
市场规模与增长：全球存储芯片市场规模超1500亿美元，其中利基存储（NOR+SLC NAND+利基DRAM）约占15%-20%。NOR Flash市场预计2029年达42亿美元（CAGR 8.4%），AI端侧设备（AI眼镜、TWS、AI手机）单机NOR用量提升是核心增量；利基DRAM受益海外大厂退出，国产替代空间超百亿元人民币；MCU市场全球规模超200亿美元，中国本土MCU自给率仍低，工业/汽车MCU国产替代空间广阔。
增长驱动因素：①AI算力基建向终端传导，服务器BIOS/固件、光模块、AI PC/手机带动NOR与利基DRAM用量提升；②汽车”三化”（电动化、智能化、网联化），智能座舱、自动驾驶对车规存储和MCU需求倍增；③海外大厂退出利基市场，供给缺口向国产厂商转移份额；④国产替代政策与供应链安全诉求，长鑫DRAM产能爬坡提供制造保障。
竞争格局：NOR Flash呈现华邦电（约27%份额）、旺宏、兆易创新（19.4%）三强争霸，美光逐步退出；SLC NAND由三星、铠侠等主导，兆易全球第六；利基DRAM由南亚、华邦、晶豪等台系厂商与兆易竞争；MCU市场由ST、NXP、瑞萨等海外大厂主导，兆易为本土龙头。
政策环境：半导体国产替代、集成电路产业税收优惠、大基金支持等政策持续利好；长鑫科技科创板IPO获国家大基金、合肥国资基石认购，体现国家战略支持。风险点在于地缘政治导致的设备/EDA限制及出口管制。
周期性影响机制：存储行业”量价”双周期传导——行业上行时，涨价先提升毛利率（价），随后公司扩产能/抢份额提升出货（量），利润弹性被放大（本轮毛利率从37%升至63%）；下行时则量价齐跌、毛利率快速回落。公司通过MCU/模拟/传感器多产品线及长鑫协同平滑部分周期波动，但无法完全免疫。
3.3 竞争对手优劣势对比
| 产品 | 兆易创新优劣势 | 华邦电（Winbond）优劣势 | 旺宏电子（Macronix）优劣势 | 普冉股份优劣势 | 综合评价 |
|---|---|---|---|---|---|
| NOR Flash | 全球第二（19.4%），中低密度性能最强、车规领先、大陆客户与政策优势；高密度服务器市场弱于华邦 | 全球第一（约27%），高密度/服务器供应链（英伟达平台）优势强，产能布局完整 | 高密度产品技术领先，车载/ROM领域深耕，规模略小 | 全球第五，中小容量EEPROM/NOR性价比强，消费类为主，体量小 | 兆易在中低密度+车规最具竞争力，目标冲击全球第一；高密度服务器市场仍是短板 |
| 利基型DRAM | 大陆领先，长鑫虚拟IDM绑定、产能优先，DDR4全面量产、LPDDR4X自研 | 台系利基DRAM龙头，品类全、客户广，但无大陆制造协同优势 | 不主营DRAM，聚焦ROM/NOR | 无DRAM产品线 | 兆易凭长鑫代工产能在国产替代中弹性最大 |
| SLC NAND | 全球第六（7.1%），料号齐全、产能扩张积极 | 全球领先，产能与制程优势 | 全球主要供应商之一，2D NAND积累深 | 部分布局，规模较小 | 供给缺口下兆易份额提升空间大 |
| MCU | 本土龙头GD32出货超25亿颗，工业第一大收入、车规放量 | 不主营MCU | 不主营MCU | 无MCU业务 | 国产替代主力，对手为ST/NXP等海外大厂 |
3.4 护城河分析
| 护城河类型 | 评价 | 说明 |
|---|---|---|
| 技术优势 | ⭐⭐⭐ | 四大产品线均跻身全球前十，NOR中低密度性能业界最强，45nm SPI NOR率先量产，车规Flash出货4.5亿颗，MCU推出国内首款Cortex-M7产品，研发强度约6.6%，专利积累深厚 |
| 渠道优势 | ⭐⭐⭐ | 建立覆盖多国和地区的营销网络与本地化支持，通过ISO26262等车规认证进入头部车企/Tier1供应链，工业、消费客户基础广泛，GD32生态成熟 |
| 品牌优势 | ⭐⭐⭐ | “兆易创新GD32”为国产MCU第一品牌，NOR Flash大陆第一品牌，A+H双上市平台，国家高新/知识产权示范企业，长鑫概念强化资本市场品牌 |
| 成本优势 | ⭐⭐ | Fabless轻资产模式+长鑫虚拟IDM保障产能，中国大陆工程师红利带来研发成本优势；但不掌握晶圆制造，成本受制于代工厂，议价能力弱于IDM厂 |
| 管理层优势 | ⭐⭐⭐ | 创始人朱一明为中国存储产业开拓者，同时执掌长鑫科技，独特双平台治理架构；核心团队稳定、名校背景，董事长拟增持10亿元彰显信心 |
四、财务剖析
财报时点：2026H1（2026-06-30）、2025H1、2025年报、2024年报、2023年报
4.1 资产负债表分析
| 指标 | 2026H1 | 2025H1 | 2025年报 | 2024年报 | 2023年报 |
|---|---|---|---|---|---|
| 资产总额（亿元） | 424.05 | 198.00 | 213.97 | 192.29 | 164.56 |
| 货币资金及交易性金融资产 | 174.37 | 92.73 | 92.88 | 92.48 | 90.71 |
| 应收账款 | 4.37 | 2.45 | 1.99 | 2.32 | 1.27 |
| 存货 | 41.84 | 24.01 | 30.66 | 23.46 | 19.91 |
| 固定资产 | 14.74 | 11.32 | 13.13 | 10.57 | 10.90 |
| 在建工程 | 0.19 | 0.04 | 0.12 | 0.05 | 0.04 |
| 商誉 | 6.17 | 6.17 | 6.17 | 6.17 | 4.10 |
| 总负债 | 48.62 | 23.65 | 21.74 | 25.50 | 12.56 |
| 短期借款 | 0.00 | 6.20 | 2.00 | 8.98 | 0.00 |
| 长期借款 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
| 应付债券 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
| 一年内到期非流动负债 | 0.45 | 0.62 | 0.54 | 0.53 | 0.42 |
| 应付账款 | 16.49 | 7.19 | 8.13 | 7.34 | 5.02 |
| 预收账款及合同负债 | 4.52 | 1.35 | 2.18 | 0.95 | 0.88 |
| 净资产（亿元） | 372.83 | 172.40 | 190.08 | 164.99 | 152.00 |
| 少数股东权益（亿元） | 2.60 | 1.95 | 2.15 | 1.80 | 0.00 |
| 资产负债率（%） | 11.47 | 11.94 | 10.16 | 13.26 | 7.63 |
| 有息负债率（%） | 0.11 | 3.44 | 1.19 | 4.95 | 0.25 |
| 货币资金有息负债比（%） | 37307.06 | 1350.85 | 3608.35 | 959.50 | 17350.91 |
| 流动比 | 6.45 | 5.97 | 6.89 | 5.34 | 11.77 |
| 速动比 | 5.27 | 4.85 | 5.32 | 4.33 | 9.75 |
| 固定资产比（%） | 3.48 | 5.72 | 6.14 | 5.49 | 6.62 |
| 在建工程比（%） | 0.05 | 0.02 | 0.06 | 0.03 | 0.03 |
| 应收账款周转天数 | 13.79 | 21.53 | 7.88 | 11.50 | 8.06 |
| 存货周转天数 | 358.15 | 336.24 | 203.39 | 187.79 | 192.35 |
| 应付账款周转天数 | 141.18 | 100.70 | 53.93 | 58.71 | 48.49 |
| 总收入（亿元） | 115.66 | 41.50 | 92.03 | 73.56 | 57.61 |
| 利润总额（亿元） | 76.66 | 5.96 | 17.06 | 11.24 | 1.25 |
| 净利润（亿元） | 68.57 | 5.75 | 16.48 | 11.03 | 1.61 |
| 扣非净利润（亿元） | 48.83 | 5.44 | 14.69 | 10.30 | 0.27 |
| 经营活动净现金流（亿元） | 60.48 | 9.58 | 21.29 | 20.32 | 11.87 |
| 净现金流（亿元） | 47.68 | -12.74 | 0.58 | 19.73 | 3.44 |
偿债能力、营运能力评价：
公司偿债能力极强，财务结构为A股科技公司中最稳健的一档。资产负债率长期处于低位，2023年为7.63%，2024年因经营借债小幅升至13.26%，2025年回落至10.16%，2026H1为11.47%（H股募资及利润留存推高净资产）；有息负债率从2024年的4.95%大幅降至2026H1的0.11%，短期借款由2024年末的8.98亿元、2025H1的6.20亿元降至2026H1的0元，实现有息负债基本出清。货币资金及交易性金融资产达174.37亿元，货币资金有息负债比高达37307%，现金储备是有息负债的数百倍。流动比6.45、速动比5.27，远高于安全线，短期偿债无任何压力。
营运能力方面，应收账款周转天数2026H1为13.79天，较2025H1的21.53天明显加快，回款能力优秀；但存货周转天数从2023年的192.35天升至2025年的203.39天、2026H1进一步升至358.15天，主要系公司为应对利基存储供不应求而积极备货（存储芯片备货周期长、行业涨价预期下锁产能），存货41.84亿元较年初增长36%，需在周期上行期关注，但合同负债翻倍至4.52亿元、存货增速远低于营收增速（178.67%），表明备货有订单支撑而非赌涨价。应付账款周转天数升至141.18天，体现对上游供应链议价能力增强。
4.2 利润表分析
| 指标 | 2026H1 | 2025H1 | 2025年报 | 2024年报 | 2023年报 |
|---|---|---|---|---|---|
| 总收入（亿元） | 115.66 | 41.50 | 92.03 | 73.56 | 57.61 |
| 其他业务收入 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
| 投资净收益 | -0.08 | -0.10 | -0.20 | 0.18 | 0.83 |
| 销售费用 | 3.09 | 2.24 | 4.46 | 3.71 | 2.70 |
| 管理费用 | 4.04 | 2.92 | 6.12 | 4.91 | 3.70 |
| 财务费用 | 2.24 | -1.47 | -1.42 | -4.43 | -2.58 |
| 研发费用 | 7.65 | 5.68 | 11.17 | 11.22 | 9.90 |
| 利润总额（亿元） | 76.66 | 5.96 | 17.06 | 11.24 | 1.25 |
| 净利润（亿元） | 68.57 | 5.75 | 16.48 | 11.03 | 1.61 |
| 扣非净利润（亿元） | 48.83 | 5.44 | 14.69 | 10.30 | 0.27 |
| 营业总收入同比增长率（%） | 178.67 | 15.00 | 25.12 | 27.69 | -29.14 |
| 归母净利润同比增长率（%） | 1091.50 | 11.31 | 49.47 | 584.21 | -92.15 |
| 扣非净利润同比增长率（%） | 796.90 | 14.99 | 42.57 | 3660.79 | -98.57 |
| 毛利率（%） | 63.13 | 37.21 | 40.22 | 38.00 | 34.42 |
| 净利率（%） | 59.29 | 13.87 | 17.91 | 14.99 | 2.80 |
| 扣非净利率（%） | 42.22 | 13.12 | 15.96 | 14.01 | 0.48 |
| 财务费用比（%） | 1.94 | -3.54 | -1.54 | -6.02 | -4.48 |
| 财务成本率（%） | 1.94 | -3.54 | -1.54 | -6.02 | -4.48 |
| 投入资本回报率（%） | 约22.0（半年，年化约40+） | 约3.4 | 9.1 | 6.8 | 1.1 |
| 净资产收益率（%） | 24.36 | 3.41 | 9.28 | 6.96 | 1.06 |
盈利能力、成长能力评价：
公司盈利能力在2026年上半年发生质变。综合毛利率从2023年的34.42%、2024年的38.00%、2025年的40.22%跃升至2026H1的63.13%，单2026Q2毛利率更达约67%，主因存储芯片量价齐升、产品结构向高毛利DRAM/NAND倾斜；净利率从2023年的2.80%攀升至2026H1的59.29%（含投资浮盈），扣非净利率42.22%更能反映主业真实盈利水平。ROE（半年）达24.36%，年化超过35%，投入资本回报率显著跃升。
成长能力呈爆发态势：2023年为存储下行底部（营收-29.14%、扣非净利-98.57%），2024年强劲反转（扣非净利+3660.79%低基数修复），2025年营收+25.12%、扣非净利+42.57%，2026H1营收+178.67%、扣非净利+796.90%，呈现典型周期上行”戴维斯双击”。费用端，研发费用7.65亿元保持高强度投入（研发费用率约6.6%），财务费用转正（2.24亿元）主要受汇兑及利息结构影响但财务费用比仅1.94%，费用管控良好。需注意归母净利68.57亿与扣非48.83亿差额19.74亿主要为长鑫科技等股权公允价值变动浮盈（约22.28亿），属非经常性损益，不具可持续性。
4.3 现金流量表分析
| 指标 | 2026H1 | 2025H1 | 2025年报 | 2024年报 | 2023年报 |
|---|---|---|---|---|---|
| 经营活动产生的现金流量净额 | 60.48 | 9.58 | 21.29 | 20.32 | 11.87 |
| 投资活动产生的现金流量净额 | -51.12 | -17.63 | -13.91 | -6.69 | -2.95 |
| 筹资活动产生的现金流量净额 | 41.42 | -4.54 | -5.17 | 4.80 | -5.73 |
| 净现金流（亿元） | 47.68 | -12.74 | 0.58 | 19.73 | 3.44 |
| 经营活动净现金流收入比（%） | 52.30 | 23.08 | 23.13 | 27.63 | 20.60 |
现金流健康度评价：
现金流质量优异且大幅改善。经营活动现金流净额从2023年的11.87亿元、2024年的20.32亿元、2025年的21.29亿元，跃升至2026H1的60.48亿元，同比增长超5倍；经营现金流收入比从2023年的20.60%提升至2026H1的52.30%，显著高于行业均值8.61%，盈利含金量极高，与扣非净利润48.83亿元匹配度良好。投资活动现金流净额-51.12亿元，主要用于对外投资（持有长鑫科技等股权，对外投资余额160.20亿元）及理财配置，反映公司在周期红利期积极布局产业链股权资产。筹资活动现金流净额+41.42亿元，主要为2026年H股上市募资增厚资本金。2026H1净现金流+47.68亿元，现金储备充裕，可充分保障研发投入、产能预付款及战略投资需求，公司完全依靠内生造血即可覆盖经营与投资，无需依赖债务融资。
4.4 行业横向对比
| 指标 | 公司（2026H1/2025） | 半导体行业平均 | 相对优势 |
|---|---|---|---|
| ROE（%） | 24.36（半年） | 8.06 | +16.30pct |
| 毛利率（%） | 63.13 | 47.32 | +15.81pct |
| 净利率（%） | 59.29 | 8.44 | +50.85pct |
| 收入增长率（%） | 178.67 | 56.82 | +121.85pct |
| 资产负债率（%） | 11.47 | 35.25 | -23.78pct |
| 有息负债率（%） | 0.11 | 无行业数据（行业整体杠杆高于公司） | 显著优于行业 |
| 应收账款周转天数（天） | 13.79 | 32.34 | -18.55天 |
| 存货周转天数（天） | 358.15 | 234.72 | +123.43天（备货所致，需关注） |
| 财务费用比（%） | 1.94 | -0.02 | +1.96pct |
| 经营活动净现金流收入比（%） | 52.30 | 8.61 | +43.69pct |
（行业基准为半导体行业8家可比公司中位数/均值，样本数8。公司在盈利能力、成长性、偿债能力、现金流质量上全面大幅领先行业；存货周转天数高于行业，主要系主动备货锁定产能所致。）
4.5 财务综合评价
| 能力维度 | 评价 | 核心指标说明 |
|---|---|---|
| 偿债能力 | ⭐⭐⭐⭐⭐ | 资产负债率11.47%、有息负债率0.11%，短期借款清零，货币资金174亿，流动比6.45，无偿债压力 |
| 营运能力 | ⭐⭐⭐⭐ | 应收账款周转13.79天回款快；存货周转358天偏高系主动备货，合同负债翻倍印证订单饱满 |
| 成长能力 | ⭐⭐⭐⭐⭐ | 2026H1营收+178.67%、扣非净利+796.90%，存储量价齐升+MCU放量，处高速成长期 |
| 盈利能力 | ⭐⭐⭐⭐⭐ | 毛利率63.13%、扣非净利率42.22%、半年ROE 24.36%，全面大幅领先半导体行业均值 |
| 现金流健康 | ⭐⭐⭐⭐⭐ | 经营现金流60.48亿、收入比52.30%，远超行业8.61%，内生造血能力极强 |
五、短线分析
股价日期：2026-08-28 ｜ 分析区间：2026.05.01 - 2026.08.28
K线走势分析
日线：8月18日半年报发布前后股价放量冲高至410元上方，业绩兑现后出现”利好兑现”式回调，8月28日收于396.82元、跌3.50%，成交额142.09亿元、换手率6.09%、量比1.11，高位放量滞涨。股价跌破5日和10日均线，短线均线有死叉迹象，近5日主力资金净流出2.14亿元。日线级别支撑位参考370元（20日均线及前期平台），若跌破则看350元；压力位为415元（近期高点）及430-440元前高区。
周线：周线级别自4月低点以来走出陡峭上升通道，累计涨幅巨大，当前股价远离20周均线，乖离率偏高。周MACD仍在零轴上方但红柱连续缩短，KDJ高位钝化后出现死叉迹象，显示中期上行动能边际减弱、进入高位震荡整固阶段。周线强支撑参考350元（20周均线），中期上升趋势未被破坏。
月线：月线级别为超级多头排列，股价较2023年存储周期底部上涨数倍，月MACD红柱放大、长周期趋势向上，长鑫科技IPO与AI存储主线支撑长期估值中枢。但月线级别累计获利盘极为丰厚，筹码在高位剧烈换手，需防范月线级别技术性调整。
技术指标分析
| 指标类别 | 具体指标 | 分析评价 |
|---|---|---|
| 趋势指标 | 5日均线、分时均线 | 股价跌破5日/10日均线，短期均线拐头向下有死叉迹象；但20日/60日均线仍向上，中长期上升趋势未破，属高位回调 |
| 量能指标 | 换手率、成交量 | 换手率6.09%、量比1.11、成交额142亿，量能维持高位但放量下跌，显示高位分歧加大、获利盘兑现，需观察能否缩量企稳 |
| 动能指标 | MACD、KDJ | 日线MACD高位死叉绿柱初现，KDJ从超买区回落；周线KDJ高位死叉迹象；量化动能子因子+2.47分，短线动能转弱 |
| 波动指标 | 布林带、筹码峰 | 股价触及布林带上轨后回落至中轨附近，布林带开口仍大、波动率高；筹码在370-410元高位密集换手，下方350元一带为前期筹码峰支撑 |
| 其他指标 | 大单净流入/融资盘 | 近5日主力资金净流出2.14亿元，融资余额5日减少5.12亿元，杠杆资金边际撤退；技术面量化绝对分-11.51（趋势-8.52、波动-4.0），短线偏弱 |
情绪面波动
| 层面 | 热点事件 | 影响评价 |
|---|---|---|
| 宏观 | 全球半导体景气上行、AI算力资本开支高企，但美联储降息节奏与外围市场波动影响成长股估值 | 中性偏正面，AI主线支撑半导体风险偏好，但高位股对流动性预期敏感 |
| 行业 | 存储超级周期，DRAM/NAND/NOR持续涨价，海外大厂淡出利基市场；长鑫科技科创板上市募资295亿 | 正面，行业β强劲，国产存储产业链情绪高涨 |
| 个股 | 半年报净利+1091%兑现、董事长拟增持10亿；但股东户数单季暴增47.81%至36万户、投资浮盈占比高 | 多空交织，业绩与增持为利好，但筹码大幅分散、利好兑现后短线获利回吐压力大 |
六、估值预测
数据时点：2026-08-28，所有数据均为最新采集
估值模型参数
| 参数 | 数值 | 取值依据/计算过程 |
|---|---|---|
| 目标利润率 | 30.00% | 采用「行业平均净利润率8.44%」与「客户最新季度净利率59.29%×60%+年度净利率17.91%×40%=42.74%」孰高，半导体为成长型行业，下限12%、上限30%，钳制后取30.00% |
| 行业平均利润率 | 8.44% | 半导体行业8家可比公司净利润率均值（industry_baseline，样本n=8，质量medium） |
| 目标市盈率 | 15.00 | 采用「行业平均PE 162.16」与「客户动态PE 36.39」孰低=36.39，成长型行业PE上限恒为15，钳制后取15.00（PE上限刚性15倍，无任何例外） |
| 行业平均市盈率 | 162.16 | 半导体行业8家可比公司PE均值（行业景气高点整体PE偏高，故受周期上限15钳制） |
| 本年收入预测 | 314.39亿 | 最近季度收入115.66×4×60% + 最近年度收入92.03×40% = 277.58 + 36.81 = 314.39亿 |
| 收入增长率 | 24.92% | 采用「行业平均增长率56.82%」与「客户季度增速178.67%×40%+年度增速25.12%×60%=86.54%」的平均值=(56.82%+86.54%)/2=71.68%，成长型行业钳制区间[10%,30%]，经一次谨慎调整取24.92% |
| 行业平均增长率 | 56.82% | 半导体行业8家可比公司营收同比增速均值 |
| 折现率 | 7.0% | 5年期LPR 3.5% × 2（标准取值） |
三因子系数
三因子系数均由权威量化引擎产出的绝对分映射；绝对分放在”计算过程”列，不单独增列。所有换算统一调用
valuation_model/src/coefficients.py，禁止主观调整。
| 因子 | 系数值 | 计算过程 |
|---|---|---|
| 基本面系数 | +12.95% | 基本面绝对分 43.169分 ÷ 100 × 30% = +12.95%（模块一基础-4.98分 + 模块二运营8.15分 + 模块三财务40分；上限±30%） |
| 技术面系数 | -5.75% | 技术面绝对分 -11.51分 ÷ 100 × 50% = -5.75%（趋势-8.52分 + 量能0.0分 + 动能2.47分 + 波动-4.0分 + 相对位置0.0分；上限±50%） |
| 情绪面系数 | +0.00% | 情绪面绝对分 0.0分 ÷ 100 × 20% = +0.00%（关注方向neutral、5日涨跌-2.99%、资金净额率缺失；上限±20%） |
估值计算结果
| 项目 | 数值 | 计算过程 |
|---|---|---|
| 10年后目标收入 | 2909.77亿 | 本年收入预测314.39亿 × (1 + 24.92%)^10 |
| Part A（稳态估值） | 13093.97亿 | 10年后目标收入2909.77亿 × 目标利润率30% × 目标市盈率15（总额，单位：亿元） |
| Part B（增长红利） | 3124.21亿 | 本年收入预测314.39亿 × 目标利润率30% × ((1+24.92%)^10 - 1) / 24.92%（总额，单位：亿元） |
| 未来估值 | ¥2230.30 | (Part A 13093.97 + Part B 3124.21) / 总股本7.2717亿股（每股，元） |
| 折现估值 | ¥793.64 | 未来估值2230.30 / (1 + 7%)^10 × (1 - 30%目标利润率)（每股，元）；已触发一次谨慎调整（增长率30%→24.92%）落入合理区间 |
| 最终理想买入价 | ¥844.83 | 折现估值793.64 × (1 + 12.95%) × (1 - 5.75%) × (1 + 0.00%) |
（注：长期合理价值/折现估值为¥793.64，仅采用财务假设、增长与折现形成，不乘技术面/情绪面系数；最终理想买入价¥844.83为三因子调整后结果。）
投资逻辑
影响兆易创新未来股价走势的核心因素有四：第一，存储超级周期的持续性与高度——AI算力驱动海外大厂产能持续向HBM/DDR5倾斜，利基DRAM、SLC NAND、NOR供给缺口在2026-2027年仍将延续，公司作为全品类Fabless龙头，量价齐升弹性最大，2026H1毛利率已跃升至63%，若高景气延续至2027年，全年利润有望持续超预期。第二，与长鑫科技的虚拟IDM协同深化——2026年公司向长鑫采购DRAM代工57.11亿元（+4.8倍），长鑫科创板上市后产能扩张与国产DRAM份额提升将直接保障公司利基DRAM供给，同时公司持有长鑫约1.8%股权持续贡献投资收益与战略价值。第三，MCU第二成长曲线——GD32累计出货超25亿颗，工业已成第一大收入来源，车规MCU出货超1000万颗，在工业、汽车、光模块、机器人等国产替代场景放量，平滑存储周期波动。第四，估值与周期风险的平衡——当前PE（TTM）36.39倍虽不低，但模型测算理想买入价844.83元显著高于现价，反映长期成长空间；最大不确定性在于2028年前后全球新产能集中释放导致存储周期反转，以及约19.74亿元非经常性投资浮盈不可持续。综合看，公司是AI存储国产替代主线中基本面最硬、弹性与确定性兼具的核心资产。
七、风险提示
| 风险类型 | 风险描述 | 严重程度 |
|---|---|---|
| 行业周期风险 | 存储芯片为强周期行业，2026H1毛利率63.13%、净利率59.29%处周期高位，2027-2028年全球新增产能集中释放或致DRAM/NAND/NOR价格回落，公司业绩存在大幅回落可能（2023年曾出现营收-29.14%、扣非净利-98.57%的周期底部） | 高 |
| 盈利质量风险 | 2026H1归母净利68.57亿中约19.74亿来自长鑫科技等股权公允价值变动浮盈（约22.28亿），属非经常性损益，若存储/半导体板块估值回调，该部分浮盈可能反向冲击利润 | 中 |
| 供应链/代工风险 | 公司为Fabless模式不掌握晶圆制造，利基DRAM高度依赖长鑫科技代工（2026年采购57.11亿元），NOR/NAND/MCU依赖外部晶圆厂与封测厂，若代工产能紧张、涨价或地缘管制加剧，将影响交付与毛利率 | 中 |
| 存货风险 | 2026H1存货41.84亿元、存货周转天数升至358.15天，虽系主动备货锁产能且有合同负债翻倍支撑，但若周期反转、存储价格下跌，存货存在跌价减值风险 | 中 |
| 估值与筹码风险 | 当前PE(TTM)36.39倍、PB 7.74倍处历史较高分位，股东户数单季暴增47.81%至36万户、筹码显著分散，融资余额高达184.70亿元，短线获利盘丰厚，高位波动加剧可能引发估值回调 | 中 |
| 地缘政治风险 | 半导体设备、EDA、IP及先进制程受出口管制影响，若海外对长鑫科技等代工伙伴制裁升级，可能制约公司产能与工艺迭代；汇率波动亦影响海外结算 | 中 |
八、总结
估值结论
当前股价 ¥396.82 vs 最终理想买入价 ¥844.83 → 低估（+112.9%）
核心投资逻辑
兆易创新是全球唯一在NOR Flash、SLC NAND、利基DRAM、MCU四大细分赛道均跻身全球前十的全品类Fabless芯片设计龙头，NOR Flash全球第二、大陆第一（份额19.4%），MCU为本土龙头（GD32累计出货超25亿颗）。2026年上半年在AI算力驱动的存储超级周期下，公司业绩史诗级爆发：营收115.66亿元（+178.67%）、扣非净利润48.83亿元（+796.90%）、毛利率跃升至63.13%、半年ROE达24.36%，且资产负债率仅11.47%、有息负债基本清零、经营现金流60.48亿元（收入比52.30%），财务质地极其扎实。公司通过与长鑫科技”设计+制造”虚拟IDM深度绑定（2026年DRAM代工采购57.11亿元、+4.8倍，并持有长鑫约1.8%股权），在海外大厂淡出利基存储、国产替代加速的浪潮中弹性与确定性兼备。模型测算最终理想买入价844.83元，较现价有约113%的长期空间。核心风险在于存储强周期属性——2028年前后全球新产能集中释放可能带来周期反转，以及约19.74亿元投资浮盈不可持续，需在高景气中保持对周期拐点的警惕。
短线预测
- 一周走势预判：中性偏谨慎，高位放量回调后或震荡整固，等待缩量企稳
- 压力位：¥415.00（强压力¥430-440）
- 支撑位：¥370.00（强支撑¥350.00）
操作建议
| 情况 | 建议 |
|---|---|
| 空仓 | 不建议追高，短线技术面偏弱（量化-11.51分）、筹码分散；可待回调至370元下方、缩量企稳后分批建仓，长期看好者可按理想买入价与现价的安全边际逢低布局 |
| 持有 | 基本面强劲、长期逻辑未破，可继续持有；但高位波动加大，可在415-440元压力区适当减仓做波段，锁定部分周期红利，回落至支撑位再接回 |
| 被套 | 若在高位追入被套，公司长期价值明确（理想买入价844.83元），不建议恐慌割肉；可在370元/350元强支撑位附近分批补仓摊薄成本，等待存储周期业绩持续兑现修复股价 |
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